|
| Danh mục sản phẩm :: | Mô-đun IGBT | Điện áp Collector-Emitter VCEO Max :: | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Gói / Trường hợp:: | DỄ DÀNG2 | Nhiệt độ hoạt động tối đa:: | + 125C |
| Cấu hình :: | Hex | Dòng thu liên tục ở 25 C:: | 40 A |
| Sản phẩm :: | Mô-đun silicon IGBT | Nhà chế tạo :: | Công nghệ Infineon |
FS35R12YT3, từ công nghệ Infineon, là IGBT module. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, mà là trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Người liên hệ: Liu Guo Xiong
Tel: +8618200982122
Fax: 86-755-8255222
