NJVMJD350T4G

NJVMJD350T4G thuộc về một chip Bipolar Junction Transistor (BJT), cụ thể là một PNP-type Bipolar Junction Transistor.chip này có một bộ các thông số kỹ thuật cụ thể và đặc điểm hiệu suất.

Dưới đây là các thông số kỹ thuật chính của chip NJVMJD350T4G được dịch sang tiếng Anh:

• Năng lượng thu hút và phát ra tối đa (VCEO): 300V
• Năng lượng cơ sở thu hút tối đa (VCBO): 300V
• Điện áp cơ sở phát điện tối đa (VEBO): 3V
• Dòng điện DC tối đa của bộ sưu tập (Ic): 500mA (tức là 0,5A)
• Điện áp bão hòa bộ sưu tập - phát ra: Có thể thấp đến 1V trong điều kiện cụ thể
• Phân tán năng lượng (Pd): tối đa 15W
• Sản phẩm tăng băng thông (fT): 10MHz
• Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -65°C
• Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150°C

Ngoài ra, chip NJVMJD350T4G có các đặc điểm sau:

• Loại gói: Thông thường đi kèm trong gói DPAK-3 (TO-252-3), phù hợp với các ứng dụng thiết bị gắn bề mặt (SMD / SMT).
• Tuân thủ RoHS: Phù hợp với các yêu cầu RoHS, có nghĩa là nó không chứa chì hoặc các chất nguy hiểm khác.
• Ứng dụng: Được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại đầu ra âm thanh chạy theo đường dây, chế độ chuyển đổi và các ứng dụng khác đòi hỏi chức năng khuếch đại và chuyển đổi của transistor.

Tóm lại,chip NJVMJD350T4G là một chip PNP Bipolar Junction Transistor ổn định và linh hoạt được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử khác nhau đòi hỏi khả năng khuếch đại và chuyển mạch transistor.