MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 là một bóng bán dẫn điện RF được sản xuất bởi NXP, được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng RF công suất cao.

Các thông số cơ bản

• Loại sản phẩm: RF MOSFET Transistors (Radio Frequency Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors)
• Nhà sản xuất: NXP
• Độ cực: N-Channel
• Gói: SOT1787
• Công nghệ: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

Các thông số điện

• Tần số hoạt động: 1200 đến 1400 MHz
• Năng lượng đầu ra: 1000 W (đỉnh)
• Tỷ lệ tăng thông thường (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (Sự gia tăng cụ thể có thể thay đổi theo tần số)
• Điện áp ngắt nguồn thoát nước (Vds): Không được chỉ định trực tiếp, nhưng các transistor LDMOS thường có điện áp phá vỡ cao
• Dòng chảy liên tục (Id): Không được chỉ định trực tiếp, nhưng được xác định bởi các yêu cầu về ứng dụng và thiết kế
• Điện áp nguồn cổng (Vgs): -6 V đến +10 V (Phạm vi điều khiển điện áp cổng)
• Phân tán năng lượng (Pd): Không được chỉ định trực tiếp, nhưng yêu cầu thiết kế phân tán nhiệt tốt cho các ứng dụng công suất cao

Nhiệt độ hoạt động

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150°C
• Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -40°C

Đặc điểm ứng dụng

• Hoạt động băng thông rộng: Phù hợp đầu vào và đầu ra nội bộ để vận hành và sử dụng băng thông rộng thuận tiện
• Tính linh hoạt cấu hình: Có thể được sử dụng trong cấu hình một đầu, đẩy kéo hoặc hình vuông
• Sức mạnh cao: Thích hợp cho các ứng dụng xung, đặc biệt xuất sắc trong các ứng dụng radar băng tần L quân sự và thương mại công suất cao

Thông tin bổ sung

• Bao gồm:: Bao bì SMD / SMT (thiết bị gắn bề mặt / công nghệ gắn bề mặt), phù hợp với công nghệ gắn bề mặt
• Số lượng đóng gói: Thông thường được đóng gói trong một số lượng nhất định (ví dụ: 50 miếng) mỗi đơn vị